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在片高低温S参数高准确度校准方法研究

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提出了一种针对8mm频段在片高低温S参数测量系统高准确度校准方法.根据DUT测试温度的要求,分别在低温-55℃,常温23℃和高温125℃下设计制作TRL标准件,并定义相应温度下TRL校准件中传输线标准的线电容值,利用定义的电容值对系统进行校准,校准后使用验证件对系统校准效果进行验证,证明该校准方法切实有效.其验证件的标准值由相应温度下薄膜电阻的直流电阻测量值结合电磁场结构仿真得到.

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来源
《2016国防计量与测试学术交流会》|2016年|318-322|共5页
会议地点成都
作者
Sun Jing; 孙静; 刘晨; Liu Chen; 吴爱华; Wu Aihua; 梁法国; Liang Faguo;
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作者单位

中国宇航学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测试、检验;
关键词
微波单片电路; S参数; 在片测量; 校准方法;
入库时间 2022-08-17 10:13:18

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