Ag/SiO2纳米薄膜导热系数的测量

摘要

采用3ω实验方法在300K～360K温度范围内测试了Ag纳米颗粒分散SiO2薄膜的导热系数。Ag/SiO2纳米薄膜采用多靶磁控溅射技术制备，其中分散颗粒的体积分数分别为2.0％和3.3％，平均直径为10nm～30nm，膜厚约为500nm。结果表明，对于掺杂了金属Ag纳米颗粒的SiO2纳米薄膜，在300K～360K温度范围内其导热系数随着温度的升高而增大，这种趋势与集成电路中使用的SiO2薄膜是一致的，但前者的导热系数要高于后者，有利于增加集成电路的散热能力，提高微电子器件工作的稳定性。