磁场退火对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜磁电阻和传感器元件性能的影响

摘要

NiCo薄膜具有比NiFe更高的AMR值，体材料时可达6%以上，在30nm时其AMR可达3.8%，具有更宽的磁场工作范围，因此其应用前景也非常广阔。本文选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ni0.65Co0.35作为磁敏感层，制备了Ta(5nm)/Ni0.65Co0.35薄膜材料，并且用光刻微加工工艺制作了薄膜磁电阻元件，研究了真空退火和真空磁场退火对Ta(5nm)/Ni0.65Co0.35薄膜磁电阻性能和磁电阻元件的输出特性的影响。