111In,113In侵入带的自旋指定与带交叉延迟的系统学研究

摘要

针对Z=49 奇A 核In 同位素系列πh11/2 侵入带自旋指定中存在的矛盾,运用能量系统学方法,对111In,113In 两个核素的侵入带的自旋进行了指定.分别将111In,113In侵入带中观测到的最低能级的自旋指定为23/2Ω和15/2Ω.并通过提取动力学转动惯量随转动频率的变化曲线,对于Z=50 核区奇A 核πh11/2 侵入带的带交叉频率延迟进行了系统学研究.PN 相互作用被认为是导致这一核区πh11/2 侵入带带交叉频率延迟的主要机制之一.随着中子数N 的增加,带交叉频率有增大的趋势,表明PN 相互作用有所增强,而随着质子数Z 的增加,带交叉频率有减小的趋势,表明PN相互作用有所减弱.