基于MOSFET管的重频电子束的实验研究

摘要

本文介绍了一种从真空电弧等离子体中提取电子束的装置,该装置主要由等离子体源、电子提取加速等部分组成.等离子体源由真空电弧放电产生,阴极采用铜园盘电极,阳极是底部网状顶部开圆孔的圆筒结构,圆孔为电子束的引出口.电子提取部分包括低压提取电源和加速电源组成,低压提取部分由MOSFET管设计了一套电压在0～100V连续可调,脉冲最高频率为4kHz,占空比连续可调的低压脉冲提取电源.实验结果表明,电子束的频率和占空比受到提取电压的调制,得到了连续可调的电子束脉冲串;在一定范围内电子束电流大小随着提取电压的增加而增加,束流大小可达1.2A;同时提取电源的电压值也受脉冲的频率和占空比的影响.