光及溫度對聚氯化鋁濃度沉澱物影響之研究

摘要

聚氯化铝生产之方法有硫酸钙法及高压法，在室温储存时，会有白色沉淀产生，而制造厂商所提供之资料未提及白色沉淀物形成原因，且日光照射或温度升高是否会影响原有氧化铝浓度亦未做详细解说，上述原因业经研究发现：(1)硫酸钙法生产之聚氯化铝硫酸根离子浓度比高压法高出约20倍，硫酸根离子可键结在聚氯化铝结构内，硫酸根离子键结会因温度升高，动能增加，因而破坏键结析出硫酸根离子。(2)高压法与硫酸钙法避光储存4℃均不产生沉淀，分析原因系因4℃动能尚不能破坏键结析出硫酸根离子，而不同储存温度25℃、35℃及45℃储存产生沉淀，系因温度升高，动能增加，硫酸根离子已破坏键结析出，溶解度积大於Ksp而产生硫酸钙沉淀。温度升高硫酸根离子析出速率愈快，硫酸根离子浓度愈高，愈容易产生沉淀。(3)硫酸钙法及高压法氧化铝日平均衰减浓度受温度影响极微，升温至45℃回归原氧化铝浓度是在千分之一以内，可忽略不计。(4)硫酸钙法及高压法氧化铝日平均衰减浓度无盐析效应，储存过程中不产生气泡亦无储槽因子异核效应。(5)硫酸钙法及高压法聚氯化铝浓度析出沉淀後，日光照射对聚氯化铝日平均衰减浓度影响极微，照射3天回归原氧化铝浓度是在五百分之一以内，可忽略不计。(6)聚氯化铝硫酸钙沉淀25℃不升温搅拌，沉淀无法溶解，可逆反应不可行。(7)聚氯化铝硫酸钙沉淀予以加热搅拌升温至沸腾106℃，硫酸钙沉淀渐渐完全溶解形成淡黄色溶液，硫酸根离子再度键结至聚氯化铝结构内，形成可逆反应。