中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究

摘要

利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2％的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜.研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响.结果表明,制备得到的ZAO薄膜均具有c轴择优取向生长的晶体结构,在衬底温度为240℃时,得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在82％以上.