首页> 中文会议>中国核学会2011年年会 >X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响

X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响

摘要

采用外部加装屏蔽壳的方法对X射线进行辐射屏蔽,可以减少X射线对器件的辐射损伤。通过研究发现,虽然屏蔽材料减少了直照X射线的影响,但是X射线康普顿散射、光电效应产生的次级X射线和次级电子对器件的作用不可忽略。本文通过改变入射光源光子能量、Si探测器位置、屏蔽材料厚度及照射面大小等参量,采用蒙特卡罗程序模拟进行了计算比较,得到了X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响规律,并提出了降低次级粒子影响的方法。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号