首页> 中文会议>CTATEE’2011--2011年全国电工理论与新技术学术年会 >进入硅钢叠片内的漏磁通和附加损耗的模拟实验与仿真

进入硅钢叠片内的漏磁通和附加损耗的模拟实验与仿真

摘要

基于简化的取向硅钢片模型,对不同的交流激励下的硅钢叠片内铁损、交链磁通和空气中指定位置的法向漏磁的分布进行了“单片级”的测量和三维有限元分析。模型实验和数值分析的结果表明进入硅钢片的漏磁通呈现浅透入的特点,在硅钢片内引起的涡流损耗在总铁损中占据了“举足轻重”的份额。初步验证了三维有限元法计算复杂的叠片问题的有效性。

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