摘要:SiC器件具有优异的高温服役、宽禁带的性能,广泛用于汽车电子、航空航天领域.而传统的Sn基钎料以及连接方法难易满足SiC器件高温服役要求.针对SiC与Cu基板的电子封装连接问题,本文提出基于超声场的较低温快速形成高熔点金属间化合物连接接头的钎焊连接方法.采用Sn-0.7Cu钎料,首先研究了超声场连接接头组织的影响,随着超声作用时间的增加,连接接头中化合物厚度增加,接头内部弥散态的化合物数量增多,对接头的剪切强度有弥散强化的效果;其次,在超声作用时间为10s时形成了完全高熔点化合物的连接接头,剪切强度达到67MPa,对该参数钎焊接头界面深腐蚀后微观组织进行表征,发现存在连接上下界面的化合物晶粒.可见,在较低温度超声场辅助作用下,能够快速形成高强度、高熔点的芯片与Cu基板的冶金连接.