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第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议
第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议
召开年:
1998
召开地:
合肥
出版时间:
1998-10
主办单位:
中国电子学会
会议文集:
第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议论文集
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1.
PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的生长及铁电性
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
2.
X射线研究CeO2缓冲层
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
3.
脉冲激光制备GdBa2Cu3O7高温超导簿膜
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
4.
铁电/超导集成膜和铁电多层膜的TEM研究
刘维
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
薄膜制备;
超导薄膜;
铁电薄膜/超导集成膜;
铁电多层膜;
5.
a轴取向YBa2Cu3O7- 超导薄膜生长中的应力及其影响
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
6.
RSJ模型在一般偏置源下的解
吉争鸣
;
程其恒
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文利用等效电路的原理,得到了Josephson效应的RSJ模型在一般直流偏置下解的的解析表达式。对解的结果进行了讨论。提出了不用微波台阶的方法而直接从实验I一v曲线的性质判别其属于Josephon效应结还是普通超导失超效应结的类型。
超导结;
超导效应;
RSJ模型;
偏置源;
超导器件;
7.
YBCO沟槽型台阶结和rfSQUID的制备及性能研究
马平
;
甘子钊
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文工作在沟槽型台阶衬底上用直流磁控溅射法外延生长YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>(YBCO)超导薄膜后,制备出台阶结和射频超导量子干涉器(rfSQUID)。液氮中器件的磁通灵敏度和磁场灵敏度分别达到2.0xl0<'-4> Fo/Hz<'1/2>和294fT/Hz<'1/2>。涂有真 空导热硅脂作保护层的器件。至今寿命己达10个月,经历了30次以上(个别器件达50次)测试过程中从液氮到室温的冷热循环。性能没有明显的变化。表现出很好的稳定 性。通过研究,解决了制备rfSQUID器件工艺过程中存在的一些问题,提高了制备器 件的可重复性,得到高性能器件的成品率达到30℅-50℅。
超导薄膜;
超导结;
外延生长;
沟槽台阶结;
超导量子干涉器;
8.
底平面相对晶界结的制作和特性
杨涛
;
陈烈
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
高温超导体;
超导隧道结;
晶界结;
超导器件;
9.
YBCO超导天线在超导磁窗项目中应用的若干问题研究
曹必松
;
崔大复
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导天线;
超导磁窗;
10.
用于心磁图测量的梯度计
张凡
;
王世光
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导量子干涉器;
磁强计;
心磁图测量;
梯度计;
11.
HTc SQUID无损检测
王俊平
;
古宏伟
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍了一种新的高Tc SQUID无损检测装置,该装置利用高温超导体圆筒和μ合金圆筒做磁屏蔽,减小了环境噪声和边缘效应,SQUID位于金属杜瓦真空夹层中,既保护了SQUID,又减小了被测物体与探头之间的距离,提高了分辨率。
超导材料;
超导器件;
无损检测;
12.
L波段高温超导圆极化微带天线的研究
朱美红
;
刘铁军
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导天线;
圆极化微带天线;
13.
高温超导滤波器组的初步研究
邓红斌
;
王平小
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍覆盖2~6GHz频段、均分8个子波段的带通滤波器组的设计、制备及试验。各子波段滤波器均采用微带发卡式结构,滤波器组与小型闭环制冷器组装成一体结构。在约70K测试获得了较好的结果。同时讨论了滤波器组设计、制备中的一些实际问题。
高温超导;
滤波器组;
插损;
制冷器;
14.
高Tc-SQUID磁强计的超导磁屏蔽
王俊平
;
古宏伟
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文在SrTiO<,3>(STO)双晶衬底上激光沉积YBCO超导簿膜,并光刻成DC SQUID在超导屏蔽和μ合金屏蔽桶两种情况下,测量了DC SQUID磁强计的噪声。
超导薄膜;
超导器件;
超导磁强计;
超导磁屏蔽;
15.
使用超导梳齿式共面谐振器的rf一SQUlD系统
谢飞翔
;
戴远东
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导谐振器;
共面谐振器;
超导器件;
16.
使用超导共面谐振器的1.7GHz的rf-QUID系统
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
17.
电感耦合谐振回路和电容抽头谐振回路对比
何东风
;
王世光
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文详细研究了两种偏置rf SQUID的谐振回路:电感耦合谐振回路和电容抽头谐振回路。从工作频率,品质因数,噪声,抗干扰性这四个方面对它们的性能进行了对比,作者发现电感耦合谐振回路明显优于电容抽头谐振回路。
超导器件;
超导量子干涉器;
电感耦合器件;
谐振回路;
电容抽头;
18.
大带宽高摆率rfSQUID系统
何东风
;
张懿
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
在一些SQUID应用中需要较大的带宽和摆率,通过采用两阶极点积分器,将高温rfSQUID系统的带宽提高到接近10MHz,在输入信号频率为6KHz时,摆率达到最大值接近10<'7>Φ<,0>/S。文中还对影响rfSQUID系统带宽的几种因素进行了讨论。
超导器件;
带宽;
摆率;
19.
脉冲激光淀积高温超导薄膜的几个技术问题
周岳亮
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文对脉冲激光法(PLD)制备高温超导薄膜过程中出现的几个技术问题做了简要介绍。
脉冲激光法;
高温超导薄膜;
薄膜制备;
20.
台阶结、双晶结DC-SQUIDs的特性对比
王晶
;
杨乾声
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
在相同的实验条件下制备了台阶结、双晶结DC-SQUIDS样品,对二者的物理特性、量子特性和噪声特性作了对比。
超导结;
台阶结;
双晶结;
21.
用激光分子束外延的YBCO薄膜制备高稳定性DC-BQUID
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
22.
α轴取向YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>超导薄膜生长中的应力及其影响
吴培钧
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
用自样板层法在SrTiO<,3>(100)基片上制备了α轴取向的YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>导薄膜,用X光衍射和透射电镜观察了α膜的微观结构,证明了YBCO超导薄膜是按照CO面垂直于基片表面外延生长的,调查了样板层厚度与超导电性的关系,发现在一定厚度的顶层下随着样板层的厚度的增加膜的质量变好,仅有样板层的α轴膜晶格常数大于在其上生长顶层后的α轴晶格常数,当顶层的厚度小于一定值时膜的质量仍然较差,这意味着样板层和顶层之间存在着应力。
薄膜生长;
23.
脉冲激光制备GdBa<,2>Cu<,3>O<,7>高温超导簿膜
王瑞兰
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
薄膜制备;
24.
X射线研究CeO<,2>缓冲层
王荣平
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
他们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO<,2>薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(Ⅲ)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm<'2>,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO<,2>薄膜呈现出良好的立方织构。
薄膜制备;
25.
全铌隧道结dcSQUID的制备和研究
杜寰
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结dcSQUID的制备。
超导隧道结;
26.
HTcSQUID无损检测
王俊平
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍了一种新的高TcSQUID无损检测装置,该装置利用高温超导体圆筒和μ合金圆筒做磁屏蔽,减小了环境噪声和边缘效应,SQUID位于金属杜瓦真空夹层中,既保护了SQUID,又减小了被测物体与探头之间的距离,提高了分辨率。
超导材料;
27.
2212-BSCCO本征约瑟夫森器件(MESA)的制备和研究
罗胜
;
王世光
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
用刻蚀方法可在2212-BSCCO单晶表面作出截面积为十至几十微米、C轴方向厚度为几个至几十个单胞的MESA器件。这种结构不仅有利于对2212-BSCCO本征约瑟夫森特性的研究,而且可制成高频本征约瑟夫森器件。
超导器件;
本征约瑟夫森器件;
离子刻蚀;
28.
具有小电极的Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2CusO7-x三端器件的研究
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
29.
高温超导窄带滤波器的研究
吴东升
;
王小平
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文介绍了在LaAlO<,3>基片上利用YBCO单面超导薄膜制作高温超导窄带滤波器的设计、制作过程并给出实验结果。该滤波器在70K时,中心频率为:1.16GHz,带宽:93MHz,带内平坦,带内最小插损0.26dB,同时实现用制冷机冷却滤波器结构方案。
高温超导;
滤波器;
制冷机;
30.
电感耦合谐振回路在rf-SQUID系统中的应用
谢飞翔
;
王世光
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导谐振器;
电感耦合;
谐振回路;
超导器件;
31.
在Ni片上制备YSZ/CeO2阻挡层和YBCO超导膜
石东奇
;
王素玉
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文用平面靶射频磁控溅射在具有双轴织构的Ni片上外延生长CeO2和YSZ薄膜作为阻挡层,X一射线衍射φ扫描分析表明CeO2和YSZ薄膜具有强的C轴织构和较好的平面内双轴织构。用中空柱状靶直流磁控溅射在阻挡层上制各YBCO超导薄膜。在2cm波带测量了YBCO的表面电阻和谐振腔有载Ql值
YBCO超导薄膜;
32.
α轴取向YBa2Cu3O7-6超导薄膜生长中的应力及其影响
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
33.
使用超导共面谐振器的1.7GHz的rf-SQUID系统
谢飞翔
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
超导器件;
34.
PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>/SiO<,2>/Si复合薄膜的生长及铁电性
林媛
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
用很薄的SiO<,2>做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Si(100)上制备了具有良好铁电性的高度(100)取向的PZT薄膜。
薄膜生长;
35.
用激光分子束外延的YBCO薄膜制备高稳定性DC-SQUID
王晶
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
利用激光分于束外延法在高约2500A的STO台阶衬底和36.8°双晶衬底上外延厚度为2000~2300A的YBCO超导簿膜,用常规的光刻工艺制出DC-SQUID图形。
超导薄膜;
36.
具有小电极的Ag/Pb(Zr<,0.53>Ti<,0.47>)O<,3>/YBa<,2>Cu<,3>O<,7-x>三端器件的研究
刘保亭
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
应用脉冲激光沉积法和光刻技术,作者成功地制作了Ag/Pb(Zr<,0.53>Ti<,0.47>)O<,3>/YBa<,2>Cu<,3>O<,7-x>(PZT/YBCO)三端器件,为了降低矫顽场,应用变形相界(X≈0.53)的550纳米厚的PZT作为门电极。
高温超导体;
37.
HTS台阶边缘结-特性和制作的实验研究
陈珂
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
该文用原子力显微镜(AFM)对有不同伏安特性的台阶边缘结之台阶形貌进行了仔细测量。
超导材料;
38.
具有小电极的Ag/Pb(Zr<,0.53>Ti<,0.47>)O<,3>/YBa<,2>Cu<,3>O<,7-x>三端器件 的研究
刘保亭
;
赵柏儒
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
|
1998年
摘要:
应用脉冲激光沉积法和光刻技术,作者成功地制作了Ag/Pb(Zr<,0.53>Ti<,0.47>)O<,3>/YBa<,2>Cu<,3>O<,7-x>(PZT/YBCO)三端器件,为了降低矫顽场,应用变形相界(X ≈0.53)的550纳米厚的PZT作为门电极。通过优化沉积条件和门电极面积小型化,在64K下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场、大的饱和极化强度、剩余极化强度以及击穿电压~3xl0<'5>V/cm对于该场效应器件在±9v的情况下沟道电阻被调制~3℅。
高温超导体;
超导器件;
场效应器件;
三端器件;
39.
Superconducting HgBa2CaCu2Oy Thin Films Grown onNdGaO3,SrTiO3,LaAlO3 and Y一ZrO2 Substrates
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
40.
高温超导薄膜表面电阻测试有关问题的讨论
程其恒
;
吉争鸣
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文介绍了有关高温超导薄膜表面比电阻测试中测试误差的分析计算表达式,对两种不同结构的介质谐振器法测试表面电阻的误差进行了介绍,并对我国有关表面电阻测试标准提出了改进意见。
薄膜测试;
高温超导薄膜;
表面电阻测试;
41.
超导薄膜的磁场穿透深度的测量
王瑞峰
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模似的方法对线圈及其位形进行了优化。对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,该设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系。
超导体;
超导薄膜;
磁场穿透深度;
42.
扩展长度的半球透镜改善Josephson结与毫米波的耦合
葛阳中
;
吴培亨
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
为了改善Josephson结和mm波辐射之间的耦合,作者设计了与高温超导薄膜台阶衬底相同介质的LAO扩展半球透镜系统。运用积分方程法求解了不同扩展长度之下,LAO透镜系统的远场方向图形,据此确定了最佳扩展长度Dopt。进而,用YBCO薄膜台阶结作为检测元,在有和没有透镜系统时作了实验对比测量,结果表明增加了该透镜系统后,结与103GHz的信号耦合提高了14db。
超导混频器;
半球透镜;
超导结;
毫米波耦合;
43.
高温超导内禀结在105GHZ的谐波混频
周赣东
;
吴培亨
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
Bi,2Sr,2CaCu,2O,8+x内禀结;
Josephson结;
谐波混频;
中频输出;
44.
层状结构超导体中的电动力学方程的数值分析
单文磊
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文从弱耦合的层状超导体的模型出发,建立了描述电磁性质的耦合的Sine-Gordon方程组,并采用数值方法研究了方程组的解,并就一些典型的解进行了物理上的说明。
超导体;
层状结构超导体;
电动力学方程;
数值分析;
45.
沟槽型衬底台阶的制备及其特性研究
马平
;
戴远东
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文工作由光刻胶加上YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>(YBCO)薄膜作掩膜,以离子刻蚀方式在LaAlO<,3>(LAO)和SrTiO<,3>(STO)衬底上刻出沟槽型台阶、台阶角度可达45度以上,大部分区域在50至60度之间。
高温超导结;
沟槽台阶;
离子刻蚀;
超导器件;
46.
HTS台阶边缘结一特性和制作的实验研究
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
47.
高温薄膜RF一SQUID器件的研制
钟青
;
陈烈
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文介绍在LaAlO<,3>衬底上用Ar离子刻蚀台阶,用YBCO薄膜的制作RF一SQUID器件的工艺。此工艺的器件成品率大于30℅。在1.25Hz处,器件的磁通噪声灵敏度为5×10<'-4>Φ<,0>/Hz<'-1/2>。此器件三角波的峰峰值为40mV。
超导薄膜;
超导器件;
离子刻蚀;
48.
串联DC一SQUID阵列的实验研究
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
49.
全铌隧道结dc SQUID 的制备和研究
杜寰
;
杨乾声
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
摘要:
该文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结dc SQUID的制备。根据铌结的SteWart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻,消除了结的回滞,并联电阻后的1-V曲线很好的符合RSJ模型。为了获得大的磁通电压调制幅度,设计了较小的SQUID环孔,环孔电感为L~25pH。由此制备的SQUID具有传输函数~1.4mV/Φ<,0>。其本征能量分辨率达~24h。
超导隧道结;
磁控溅射;
50.
串联DC-SQUID阵列的实验研究
陈烈
《第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议》
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1998年
超导器件;
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