掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文期刊
>
电子学、通信
>
Electron Technology
Electron Technology
中文名称:电子技术
ISSN:
0070-9816
出版周期:
发文量:199
期刊论文
热门论文
年度选择
2000
第2期
第3期
第4期
1999
第2期
第3期
第4期
1998
第1期
第2期
第4期
1997
第1期
第3期
第4期
第sup期
1996
第1期
第3期
第4期
1995
第2期
第3期
第4期
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
THE PROGRAMMING AND TECHNICAL REALIZATIONS USED IN MEASUREMENT OF CHANNELING EFFECT BY RBS TECHNIQUE
机译:
RBS技术在测量通道效应中的编程和技术实现
作者:
K. GRONT
;
J. CZERBNIAK
;
T. GWIZDALLA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
2.
FIELD-INDUCED EFFECTS IN THE GLASS COATED WITH In_2O_3 THIN LAYER
机译:
In_2O_3薄层镀膜玻璃中的场致效应
作者:
J. OLESIK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
3.
CHANGES OF STAINLESS STEEL SURFACE ROUGHNESS INDUCED BY ION IRRADIATION
机译:
离子辐照引起的不锈钢表面粗糙度的变化
作者:
G. PRZYBYLSKI
;
J. BALAMUCKI
;
S. LASISZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
4.
ATOMIC FORCE MICROSCOPY IMAGING OF THE PAPER SURFACE SUBJECTED TO PROCESS OF ARTIFICIAL AGEING
机译:
人工老化过程对纸表面原子力显微镜成像的影响
作者:
F. KROK
;
P. PIATKOWSKI
;
P. CZUBA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
5.
APPLICATION OF THERMOVISION CAMERA FOR QUALITY CONTROL OF SILICON WAFER BONDING
机译:
热像仪在硅晶圆键合质量控制中的应用
作者:
T. PIOTROWSKI
;
W. JUNG
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
6.
A DEFECT STUDY OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS BY CHEMICAL ETCHING
机译:
化学刻蚀自组装单层膜的缺陷研究
作者:
P. CYGANIK
;
T. FELGENHAUER
;
H.-T. RONG
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
7.
A COMBINED SCANNING TUNNELING MICROSCOPY/CURRENT IMAGING TUNNELING SPECTROSCOPY STUDY OF MOLECULAR IMAGE CONTRAST OF THE 8OCB LIQUID CRYSTAL DEPOSITED ON THE HOPG(0001) SUBSTRATE
机译:
HOPG(0001)基质上沉积的8OCB液晶分子图像对比度的组合扫描隧道显微镜/电流成像隧道光谱研究
作者:
Z. KLUSEK
;
W. KOZLOWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
8.
IN SEARCH FOR SUBSTRATE MATERIALS FOR GaN EPITAXY: OPTICAL PROPERTIES OF THIN FILMS OF ZnO GROWN BY ATOMIC LAYER EPITAXY
机译:
在寻找GaN表观基体材料:原子层表观生长的ZnO薄膜的光学性质
作者:
M. GODLEWSKI
;
A. SZCZERBAKOW
;
V. YU. IVANOV
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
9.
INFRARED RADIATION FROM GaAs:Si STRUCTURES WITH 1-h JUNCTIONS
机译:
1h结的GaAs:Si结构的红外辐射
作者:
J. PULTORAK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
10.
INFLUENCE OF ELECTRON STATES PARAMETERS ON RESULTS OF SSPG MEASUREMENTS
机译:
电子状态参数对SSPG测量结果的影响
作者:
M. NOWAK
;
A. STARCZEWSKA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
11.
MESOSCOPIC DESCRIPTION OF THE HIGH FREQUENCY THERMAL PROCESSES IN THE SUBMICRON STRUCTURES
机译:
亚微米结构中高频热过程的介观描述
作者:
J. MARCIAL-KOZLOWSKA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
12.
PROPERTIES OF THE SECOND ORDER GRATINGS FOR SURFACE EMITTING DBR LASERS. PART II: SINUSOIDAL AND BLAZED GRATINGS
机译:
表面发射DBR激光的二阶光栅的特性。第二部分:正弦和闪耀的光栅
作者:
B. MROZIEWICZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
13.
NANOSCALE STUDIES OF ELECTRON-STIMULATED DESORPTION OF ALKALI HALIDES
机译:
电子刺激的碱金属盐脱附的纳米尺度研究
作者:
M. SZYMONSKI
;
J. KOLODZIEJ
;
P. STRUSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
14.
STRAIN IN MULTILAYERED SYSTEMS AND ITS INFLUENCE ON ASYMMETRIC X-RAY DIFFRACTION PROFILES
机译:
多层系统中的应变及其对非对称X射线衍射谱的影响
作者:
D. CHOCYKI
;
G. GLADYSZEWSKI
;
T. PIENKOS
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
15.
SCANNING TUNNELING SPECTROSCOPY OF THE NaDDP MOLECULES DEPOSITED ON THE (000l) GRAPHITE SURFACE IN THE PRESENCE OF CHARGING EFFECTS
机译:
在带电效应下沉积在(000l)石墨表面上的NaDDP分子的扫描隧道光谱
作者:
Z. KLUSEK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
16.
TECRNOLOGY AND PROPERTIES OF GaInAsSb LAYERS GROWN ON GaSb SUBSTRATES
机译:
GaSb基体上生长的GaInAsSb层的技术和性能
作者:
M. PISKORSKI
;
E. PAPIS
;
K. GOLASZEWSKA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
17.
TECHNOLOGY AND CHARACTERIZATION OF RESONANT CAVITY ENHANCED MSM GaAs PHOTODETECTORS
机译:
谐振腔增强型MSM GaAs光电检测器的技术与特性
作者:
B. SCIANA
;
D. RADZIEWICZ
;
I. ZBOROWSKA-LINDERT
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
18.
INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC STRUCTURE OF TOPOLOGICAL DEFECTS IN CARBON NANOTUBES BY SCANNING TUNNELING MICROSCOPY AND CURRENT IMAGING TUNNELING SPECTROSCOPY
机译:
扫描隧道显微镜和电流成像隧道光谱法研究碳纳米管中的拓扑缺陷的电子结构
作者:
Z. KLUSEK
;
P. BYSZEWSKI
;
P. KOWALCZYK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
19.
TRE RENORMALIZED POTENTIAL FOR CUBIC CRYSTALS
机译:
立方晶体的TRE规范化电位
作者:
T. GWIZDALLA
;
J. CZERBNIAK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
20.
FABRICATION OF MICROSTRUCTURES IN THIN NIOBIUM FILMS BY REACTIVE ION ETCHING
机译:
反应离子刻蚀法制备薄铌薄膜的微观结构
作者:
A. PIOTROWSKA
;
T. T. PIOTROWSKI
;
E. KAMINSKA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
21.
DESIGN AND PARAMETERS OF HOME MADE SAMPLE HOLDERS ENABLING THE ALIGNMENT, ROTATIONS, HEATING AND COOLING OF THE SAMPLES IN ULTRA-HIGH VACUUM
机译:
家用样品夹具的设计和参数,可实现超高真空样品的对准,旋转,加热和冷却
作者:
H. OTOP
;
S. MR0Z
;
A. MROZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
22.
ANALYSIS OF DETECTION PARAMETERS OF NON-COOLED LONG-WAVELENGTH MULTI-JUNCTION (Cd,H) Te PHOTODIODES
机译:
非冷却长波多结(Cd,H)Te光电二极管的检测参数分析
作者:
K. JOZWIKOWSKI
;
T. NIEDZIELA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
23.
AN OSCILLATORY SURFACE REACTION OF HYDROGEN WITH COBALT IN HIGH ELECTRIC FIELD
机译:
氢与钴在高电场中的振荡表面反应
作者:
Z. M. STEPIEN
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
24.
ADVANTAGES AND DISADVANTAGES OF LAYER GROWTH MODEL IN WHICH PARTICLES MAXIMIZE NUMBER OF LATERAL BONDS
机译:
颗粒最大化侧键数的层增长模型的优点和缺点
作者:
K. MALARZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
25.
GROWTR OF THE ULTRA-THIN Pb LAYERS ON Si(533) SURFACES
机译:
Si(533)表面上超薄Pb层的生长
作者:
R. ZDYB
;
M. STROZAK
;
M. JALOCHOWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
26.
MESOSCOPIC Pb WIRES ON ORDERED VICINAL Si(111)
机译:
有序气相Si(111)上的介晶Pb线
作者:
M. JALOCHOWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
27.
ON THE SURFACE DOMAIN STRUCTURE OF COBALT MONOCRYSTALS
机译:
钴单晶的表面域结构
作者:
W. SZMAJA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
28.
NON-ADIABATIC EFFECTS IN ATOM SCATTERING ON SURFACES
机译:
原子在表面散射的非绝热作用
作者:
M. WIERTEL
;
E. TARANKO
;
R. TARAKO
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
29.
INVERSE PHOTOEMISSION SPECTROMETER WITH LiF LENS AS DISPERSIVE ELEMENT
机译:
以LiF透镜为分散元素的逆光生化光谱仪
作者:
A. ORLOWSKA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
30.
INTERLAYER COUPLING IN MAGNETIC SUPERLATTICES WITH SELF-SIMILAR INTERFACES
机译:
具有自相似界面的磁性超晶格中的层间耦合
作者:
Z. BAK
;
W. GRUHN
;
R. JAROSZEWICZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
31.
INVESTIGATION OF STRUCTURAL EVOLUTION OF Co_66Ni_12Si_9B_13 METALLIC GLASS BY ELECTRICAL AND HALL RESISTIVITY
机译:
用电和霍尔电阻研究Co_66Ni_12Si_9B_13金属玻璃的结构演化
作者:
E. JAKUBCZYK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第3期
32.
THE ANALYSIS OF DETECTION CAPABILITIES OF COOLED (T = 80 K) TWO-COLOUR (Cd, Hg)Te PHOTODIODES
机译:
两色(Cd,Hg)Te低温(T = 80 K)阴极检测能力的分析
作者:
K. JOZQIKOWSKI
;
T. NIEDZIELA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
33.
OPTIMIZATION OF PARAMETERS OF (Hg,Cd)Te n~+ -p PHOTODIODES FOR 10.6-μm SPECTRAL REGION OPERATING AT NEAR-ROOM TEMPERATURES
机译:
室温下10.6μm光谱区(Hg,Cd)Te n〜+ -p光电二极管参数的优化
作者:
T. NIEDZIELA
;
R. CIUPA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
34.
INFLUENCE OF THE BAND GAP PROFILE AND THE TEMPERATURE ON THE TRANSPORT OF EXCESS CARRIERS IN THE ISOTYPE HgCdTe/CdTe HETEROJUNCTION
机译:
带隙谱和温度对同型HgCdTe / CdTe异质结中过量载流子传输的影响
作者:
J. PULTORAK
;
T. PIOTROWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
35.
TRANSPORT OF EXCESS CRARGE CARRIERS IN AN INHOMOGENEOUS SEMICONDUCTOR IN THE PRESENCE OF TEMPERATURE GRADIENT
机译:
存在温度梯度时非均质半导体中过量裂纹载体的运输
作者:
S. SIKORSKI
;
T. PIOTROWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
36.
THE SIMULATION OF LASER CORRECTION OF THICK FILM RESISTORS WITH THE BOUNDARY ELEMENTS METHOD USE
机译:
用边界元法模拟厚膜电阻的激光校正。
作者:
M. BORECKI
;
J. KRUSZEWSKI
;
K. KOPCZYNSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
37.
PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON IN THE LIGHT OF DEFECTS IN SILICON SUBSTRATE
机译:
从缺陷的角度看多孔硅的光致发光
作者:
B. SURMA
;
A. MISIUK
;
A. WNUK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
38.
METROD OF TESTING RELATION BETWEEN THE RELIABILITY OF BIPOLAR TRANSISTOR AND THE LEVEL OF ITS LOW FREQUENCY NOISE
机译:
双极晶体管的可靠性及其低频噪声电平之间的测试关系
作者:
A. M. ZAKLIKIEWICZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
39.
FUNDAMENTALS OF MODELLING OF METAL-INSULATOR- SEMICONDUCTOR JUNCTION BIASED BY DC VOLTAGE WITH SUPERIMPOSED SMALL AC SIGNAL
机译:
叠加有小交流信号的直流电压偏置的金属-绝缘体-半导体结的建模基础
作者:
S. SIKORSKI
;
W. JUNG
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
40.
APPLICATION OF INDIRECTLY HEATED CTR TYPE THERMISTORS FOR THE MEASUREMENT OF RMS ELECTRICAL VALUE
机译:
间接加热的CTR型热敏电阻在均方根电值测量中的应用
作者:
E. KUZMA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
41.
A NEW MODEL OF THREE-LEVEL CHARGE PUMPING
机译:
三级收费泵的新模型
作者:
L. LUKASIAK
;
A. JAKUBOWSKI
;
S. SZOSTAK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
42.
ELECTAlCAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF HgCdTe/Si FILMS OBTAINED BY THE LASER EPITAXY
机译:
激光外延获得的HgCdTe / Si薄膜的电和结构性质
作者:
S. V. PLYATSKO
;
M. M. VERGUSH
;
S. K. PLYATSKO
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
43.
CALCULATION OF THE STRESS INDUCED BY SILICON LATTICE CONTRACTION AFTER BORON AND PHOSPHORUS DOPING
机译:
硼和磷掺杂后硅晶格收缩诱发的应力计算
作者:
St. IOVAN
;
R. RADOI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
44.
PREDICTION OF I-V CHARACTERISTICS OF DOUBLE-GATE SOI MOSFETS WITR ULTRATHIN SEMICONDUCTOR LAYER
机译:
超薄半导体层的双栅SOI MOSFET I-V特性的预测
作者:
T. JANIK
;
B. MAJKUSIAK
;
A. JAKUBOWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
45.
3-D SILICON MICROMACHINING FOR AFM/LFM MICROPROBE DEVELOPMENT
机译:
用于AFM / LFM微探针开发的3-D硅微细化
作者:
P. GRABIEC
;
K. DOMANSKI
;
P. DUMANIA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
46.
THE SORET THERMODIFFUSION CURRENTS AND THE EXCESS CARRIER THERMOINJECTION EFFECT IN SEMICONDUCTORS
机译:
半导体中的热扩散电流和超载热注入效应。
作者:
S. SIKORSKI
;
T PIOTROWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
47.
THE INFLUENCE OF DISLOCATIONS ON GENERATION-RECOMBINATION PROCESSES IN NARROW-BANDGAP SEMICONDUCTORS
机译:
位移对窄带隙半导体中产生-重组过程的影响
作者:
K. JOZWIKOWSKI
;
T. NIEDZIELA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
48.
BERAVIOURAL SYNTHESIS UTILIZATION FOR HARDWARE IMPLEMENTATION OF AN RSA CRYPTOSYSTEM
机译:
RSA密码系统在硬件实现中的无用综合利用
作者:
D. OBREBSKI
;
R. BARSNIECKI
;
A. KOWALCZYK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
49.
SOME COMMENTS ABOUT CARRIER CONCENTRATION IN DOPED (Cd,Hg)Te STRUCTURES
机译:
关于掺杂(Cd,Hg)Te结构中载流子浓度的一些评论
作者:
K. JOZWIKOWSKI
;
T.NIEDZIELA
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第4期
50.
Nanocrystalline Tin Dioxide Thin Films as oxidizing Gas sensors
机译:
纳米二氧化锡薄膜作为氧化性气体传感器
作者:
J.A.De Agapito
;
J.P.Santos
;
M.A.Martin
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
51.
Physics and technology of thick Film sensors and their applications for environmental gas Monitoring
机译:
厚膜传感器的物理技术及其在环境气体监测中的应用
作者:
G.Martinelli
;
M.C.Carotta
;
C.Malagu
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
52.
Two-component thin Phthalocyanine Films for Gas sensing: Dc and ac Approach
机译:
用于气体传感的两组分酞菁薄膜:Dc和ac方法
作者:
G.L.Pakhomov
;
L.G.Pakhomov
;
D.E.Pozdnyaev
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
53.
Conductivity modulation in metalloporphyrin Dimer Langmuir-Blodgett Films induced by Gas Adsorption
机译:
气体吸附在金属卟啉二聚体Langmuir-Blodgett薄膜中的电导率调制
作者:
L.Valli
;
A.Terore
;
G.Micocci
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
54.
The Modified Metallophthalocyanines: Electron transport mechanism and Gas sensing properties
机译:
改性金属酞菁:电子传输机理和气敏特性
作者:
A.E.Pochtenny
;
G.G.Fedoruk
;
I.P.Ilyushonok
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
55.
The Stability of SnO_2 Gas sensors
机译:
SnO_2气体传感器的稳定性
作者:
I.Kocemba
;
S.Szafran
;
J.Rynkowski
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
56.
Surface and Interface potentials in semiconductor chemical Sensors
机译:
半导体化学传感器中的表面和界面电势
作者:
J.Mizsei
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
57.
Studies of The Electrical and mass effects in surface acoustic wave gas sensor
机译:
声表面波气体传感器的电和质量效应研究
作者:
M.Urbanczyk
;
W.Jakubik
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
58.
Theoretical study of semiconductor thin films gas sensors. Attempt top Consistent approach
机译:
半导体薄膜气体传感器的理论研究。尝试顶级一致的方法
作者:
V.Bryazari
;
G.korotchenkov
;
S.Dmitriev
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
59.
E-Gun Sputtered and Reactive ion sputtered tio_2 Thin Films for Gas Sensors
机译:
用于气体传感器的电子枪溅射和反应离子溅射的tio_2薄膜
作者:
F.Edelman
;
A.Rothshild
;
Y.Komem
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
60.
Experimental and Theoretical studies on the receptor and Transducer Functions of SnO_2 Gas sensors
机译:
SnO_2气体传感器的受体和传感器功能的实验和理论研究
作者:
V.Lantto
;
T.S.Rantala
;
T.T.Rantala
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
61.
Photoemission Studies of The electronic properties Of The Space charge layer of SnO_2(110) Surface
机译:
SnO_2(110)表面空间电荷层电子性质的光发射研究
作者:
J.Szuber
;
W.Gopel
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
62.
Sensitivity of the atomic layer epitaxy (Ale) deposited snO_x Thin Films in function of their oxygen content
机译:
原子层外延(Ale)沉积的snO_x薄膜的灵敏度随其氧含量的变化而变化
作者:
E.B.Varhegyi
;
I.V.Perczel
;
Z.Pinter
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
63.
Semiconducting carbons as Selective adsorbents for Humidity sensors
机译:
半导体碳作为湿度传感器的选择性吸附剂
作者:
J.P.Lukaszewicz
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
64.
The SnO_2 Films grown by rgto method
机译:
RGTO法生长的SnO_2薄膜
作者:
P.Zylka
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
65.
The control of defect in the Gas-Sensitive tin Dioxide layers
机译:
气敏性二氧化锡层中缺陷的控制
作者:
D.Tz.Dimitrov
;
O.F.Lutskaya
;
V.A.Moshnikov
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
66.
Surface Photovoltage spectroscopy System For In Situ Studies of Metal Phthalocyanine thin films
机译:
用于金属酞菁薄膜原位研究的表面光电压光谱系统
作者:
M.Bilski
;
S.Kaszczyszyn
;
L.Grzadziel
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
67.
Some comments on the band bending and origin of electronic defect states on the clean SnO_2(110) Surface
机译:
关于清洁SnO_2(110)表面上的能带弯曲和电子缺陷状态的起因的一些评论
作者:
D.Lipa
;
J.Szuber
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
68.
Influence of gas Adsorption on Photoluminescnce properties of porous silicon Layers
机译:
气体吸附对多孔硅层光致发光性能的影响
作者:
Z.Lukasiak
;
Z.Wyrzykowski
;
J.Sylwisty
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
69.
Molecular Materials: gas sensors properties, Complementarity with Metallic oxides
机译:
分子材料:气体传感器特性,与金属氧化物的互补性
作者:
A.Pauly
;
J.P.Germain
;
J.P.Blanc
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
70.
Influence of oxygen partial pressure on the kinetics of some Physical Parameters at transitions between dried and wet Atmospheres in SnO_2 Gas Sensors
机译:
氧分压对SnO_2气体传感器在干燥和潮湿大气之间过渡时某些物理参数动力学的影响
作者:
C.Moise
;
R.Ioonescu
;
A.Vancu
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
71.
NO_2 AND co interference in solid state commercial sensors
机译:
固态商用传感器中的NO_2和共干扰
作者:
M.A.Martin
;
J.P.Santos
;
A.H.Vasquez
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
72.
No_2 Sensitivity of thin n-InP epitaxial Layers
机译:
薄n-InP外延层的No_2灵敏度
作者:
L.Talazac
;
J.P.Blanc
;
V.Vattut
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
73.
RF-Sputtered Thin Film Gas sensors based on modified tin dioxide
机译:
基于改性二氧化锡的射频溅射薄膜气体传感器
作者:
M.Radecka
;
P.Pasierb
;
K.Zakrzewska
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
74.
Structure and adsorption-resistive properties of Copper-phthalocyanine-Polymer thin films
机译:
铜-酞菁聚合物薄膜的结构和抗吸附性能
作者:
G.G.Fedoruk
;
O.E.Karapetyan
;
A.E.Pochtenny
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
75.
Simple, low cost Quartz crystal monitor system for metal phthalocyanine thin films growth control
机译:
简单,低成本的用于金属酞菁薄膜生长控制的石英晶体监测系统
作者:
P.Matkowski
;
L.Grzadziel
;
J.Szuber
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
76.
Mumidity sensing Properties of spin-On phosphorosilica Thin films
机译:
旋涂式二氧化硅薄膜的湿敏特性
作者:
K.Waczynski
;
E.Wrobel
;
Z.Ruszowski
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
77.
Irradiation assisted Preparation of GAS senitive layers based on halogen substituted phthalocyanines
机译:
基于卤素取代的酞菁的辐射辅助制备GAS敏感层
作者:
G.L.Pakahomov
;
L.G.Pakhomov
;
D.E.Pozdnyaev
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
78.
Oxygen gas sensors based on Thin semiconductor Films
机译:
基于半导体薄膜的氧气传感器
作者:
V.Smyntyna
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
79.
Tin Dioxide sensor a very complex device: physico-Chemical and Technological approach
机译:
二氧化锡传感器是一种非常复杂的设备:物理化学和技术方法
作者:
R.Lalauze
;
C.Pijolat
;
G.Tournier
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
80.
Computer controlled kelvin Probe for olfactory images
机译:
计算机控制的开尔文探针,用于嗅觉图像
作者:
S.Ress
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
81.
Computer Anaysis of The Fermi Level Behaviour at SiO_2-Si And
机译:
SiO_2 / n-Si和Si上费米能级行为的计算机分析
作者:
B.Adamowicz
;
M.Miczek
;
H.Hasegawa
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
82.
Characterization of oxide Semiconductor Gas Sensors By The complex analysis of Surface physico-Chemical Processes
机译:
通过表面物理化学过程的复杂分析表征氧化物半导体气体传感器
作者:
F.Rfti
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
83.
Ceramic and film metaloxide sensors obtained by sol-gel method: structural features and gas-sensitive properties
机译:
通过溶胶-凝胶法获得的陶瓷和薄膜金属氧化物传感器:结构特征和气体敏感性
作者:
M.Ivanovskaya
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
84.
The Effect of gas adsorption on Hopping conduction in Metallophtalocyanines
机译:
气体吸附对金属酞菁中跳跃传导的影响
作者:
A.V.Misevich
;
A.E.Pochtenny
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
85.
Thick film Microsensors Based On nanosized Titania sol-gel powder
机译:
基于纳米二氧化钛溶胶-凝胶粉末的厚膜微传感器
作者:
M.C.Carotta
;
M.A.Butturl
;
G.Martinelli
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
86.
Development of Wo_3 Thick-Fllm No sensors and their application in monitoring of steam power plant exhausts
机译:
Wo_3厚膜无传感器的开发及其在蒸汽电厂废气监测中的应用
作者:
A.A.Tomchenko
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
87.
Emergent Application fields for semiconductor gas sensors
机译:
半导体气体传感器的新兴应用领域
作者:
C.D.Kohl
;
J.Kelleter
;
W.Geyer
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
88.
Electronic properties of space charge layer of copper phthalocyanine (CuPc) Thin films in situ Studied by photoemission Yield spectroscopy
机译:
铜酞菁(CuPc)薄膜空间电荷层的电子性能原位研究
作者:
L.Grzadaiel
;
K.Mikolajczak
;
J.Szuber
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
89.
How phthalocyanines interact with silicon substrates: a review Of photoelectron spectroscopy experiments
机译:
酞菁如何与硅基质相互作用:光电子光谱实验的综述
作者:
L.Ottaviano
;
L.Lozzi
;
S.Santucci
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
90.
Gas sensing surface States of porous silicon Junctions investigation by Deep levels Transient Spectroscopy
机译:
深层瞬态光谱研究多孔硅结的气敏表面态
作者:
S.Plachetko
;
W.Bala
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
91.
Fuzzy Logic combined With genetic algorithms in the improvement of semiconductor gas sensor performance
机译:
模糊逻辑与遗传算法相结合提高半导体气体传感器性能
作者:
T.Pisarkiewicz
;
P.Potempa
期刊名称:
《Electron Technology》
|
2000年第2期
92.
BROAD-AREA DIODE LASERS WITH LATERALLY CONTROLLED FAR-FIELD PATTERN
机译:
具有远距控制远场模式的广域二极管激光
作者:
B. MROZIEWICZ
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
93.
HIGH LEVEL p-TYPE DOPING IN MBE GROWTH OF GaAs AND Al_xGa_(1-x)As
机译:
GaAs和Al_xGa_(1-x)As的MBe生长中的高水平p型掺杂
作者:
J. MUSZALSKI
;
K. REGINSKI
;
M. BUGAJSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
94.
THERMAL INSTABILITY IN POWER BJT's: RADIOMETRIC DETECTION OF TRANSIENT TEMPERATURE MAPS AND ELECTRO-THERMAL SIMULATION
机译:
电力BJT中的热不稳定性:瞬态温度图的放射线检测和电热模拟
作者:
S. PICA
;
G. SCARPETTA
;
P. SPIRITO
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
95.
SINGLE-ELECTRON TRAPPING IN SUB-μm SIZED MOSFETs
机译:
亚微米尺寸MOSFET中的单电子陷阱
作者:
M. SCHULZ
;
H. H. MUELLER
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
96.
PERIODIC BOUNDARY CONDITIONS FOR THE NUMERICAL ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR DEVICES
机译:
半导体器件数值分析的周期边界条件
作者:
S. P. LEPKOWSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
97.
INFLUENCE OF SURFACE LAYER DAMAGING ON PHOTOELECTROMAGNETIC EFFECT
机译:
表面层损伤对光电子磁效应的影响
作者:
S. LOS
;
M. NOWAK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第1期
98.
OPTICAL PROPERTIES OF CdTe/CdMgTe QUANTUM WELLS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
机译:
分子束外延生长CdTe / CdMgTe量子阱的光学性质
作者:
M. GODLEWSKI
;
M. SURMA
;
J. P. BERGMAN
;
B. MONEMAR
;
Th. LITZ
;
A. WAAG
;
G. LANDWEHR
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第4期
99.
LPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaAlAsSb/GaInAsSb/GaSb LED HETEROSTRUCTURES
机译:
GaAlAsSb / GaInAsSb / GaSb LED异质结构的LPE生长和性能
作者:
M. PISKORSKI
;
J. ADAMCZEWSKA
;
K. GOLASZEWSKA
;
T. T. PIOTROWSKI
;
K. SWIATEK
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第4期
100.
LOW TEMPERATURE MBE GROWN GaAs APPLIED IN VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS
机译:
垂直腔表面激光中的低温MBE生长GaAs
作者:
K. REGINSKI
;
A. MALAG
;
D. RADOMSKA
;
J. KATCKI
;
J. MUSZALSKI
;
M. BUGAJSKI
;
W. STRUPINSKI
期刊名称:
《Electron Technology》
|
1996年第4期
意见反馈
回到顶部
回到首页