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孙海锋; 刘新宇; 海潮和;
中国科学院微电子中心;
SOI; CMOS器件; 半导体器件;
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:Si上的全耗尽Ge CMOS器件和逻辑电路
机译:绝缘体CMOS器件和电路技术上超低压全耗尽硅的表征
机译:LVLP模拟/数字/微波应用的薄膜全耗尽SOI CMOS技术,器件和电路
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:在全氧化物器件的钙钛矿衬底上外延生长高结晶尖晶石铁氧体薄膜
机译:使用各向异性全波绿色功能求解器用于共面铁电薄膜器件的各向异性全波绿色功能求解恒定测量的各向异性介电常数和衰减提取
机译:LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目(FY99)
机译:全耗尽型SOI型半导体器件和集成电路
机译:具有全耗尽型逻辑晶体管和部分耗尽型存储晶体管的半导体存储器件
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