N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究

连军; 海潮和; 韩郑生; 赵洪辰; 杨荣

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N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究

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选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3 V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps.

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来源
《电子器件》 |2004年第1期|69-71|共3页
作者
连军; 海潮和; 韩郑生; 赵洪辰; 杨荣;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;制造工艺;
关键词
SOI; SIMOX; 全耗尽; CMOS;

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