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魏丽琼;
不详;
门阵列; 薄膜全耗尽; SOI; SIMOX; 薄膜电路; 设计;
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:在SOI岛中制造的全耗尽双栅极薄膜SOI P-MOSFET,具有隔离的掩埋多晶硅背栅
机译:用于RF-ID芯片的Schenkel电路中的全耗尽SOI MOSFET基二极管的性能前景
机译:LVLP模拟/数字/微波应用的薄膜全耗尽SOI CMOS技术,器件和电路
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:用于电路仿真的全耗尽sOI-mOsFET模型及其在1 / f噪声分析中的应用
机译:全剂量辐照期间全耗尽sOI晶体管响应的新见解
机译:全耗尽型SOI型半导体器件和集成电路
机译:具有耗尽的源极和漏极的全耗尽SOI晶体管
机译:单独使用或用于SOI BiCMOS的全耗尽集电极绝缘体上硅(SOI)双极晶体管
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