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何进; 牛旭东; 张钢刚; 张兴;
北京大学信息科学技术学院微电子学系纳太器件和电路研究室,北京100871;
北京大学深圳研究生院信息工程学院,广东深圳518055;
MOSFETs; 器件物理; 集约模型; 片电荷近似; 基本检验;
机译:Psp-soi:用于电路仿真的部分耗尽的Soi Mosfets基于高级表面势的紧凑模型
机译:双栅极MOSFET的显式量子势和电荷模型
机译:用于模拟/数字应用的小尺寸MOSFET的电荷片电容模型
机译:基于表面势分析的非电荷片多晶硅TFT模型,包括衬底和膜厚度效应
机译:I.通过双电位阶跃电流,电荷和吸收响应比率的有限差分模拟和简单拟合分析电化学机理。二。小势步法在贵金属表面电化学动力学研究中的应用。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:基于非电荷片的非对称双栅mOsFET采用spp方法的分析模型
机译:CsFIT:用于mOsFET数据的电荷片模型拟合的FORTRaN程序
机译:保护基本上水平的表面的方法,该方法包括提供一种不带液体的带电荷的薄膜,该带电荷的薄膜带电荷,将tamanodeseado切开,应用于该表面并将物品放置在修剪过的电影中。
机译:用于识别三维手势以控制例如智能手机具有隐马尔可夫模型(HMM),该模型执行基本的对象位置或运动以识别定位运动序列
机译:数据传输装置具有使发出的光转换成具有一定波长的光的基础LED,以及例如具有滤光片的滤光片。彩色滤光片,设计为使基本LED发出的光通过二极管,同时抑制波长的光
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