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Silicon and silica nanostructures and method of making silicon and silica nanostructures

机译:硅和二氧化硅纳米结构及制备硅和二氧化硅纳米结构的方法

摘要

Provided herein are methods for forming one or more silicon nanostructures, such as silicon nanotubes, and a silica-containing glass substrate. As a result of the process used to prepare the silicon nanostructures, the silica-containing glass substrate comprises one or more nanopillars and the one or more silicon nanostructures extend from the nanopillars of the silica-containing glass substrate. The silicon nanostructures include nanotubes and optionally nanowires. A further aspect is a method for preparing silicon nanostructures on a silica-containing glass substrate. The method includes providing one or more metal nanoparticles on a silica-containing glass substrate and then performing reactive ion etching of the silica-containing glass substrate under conditions that are suitable for the formation of one or more silicon nanostructures.
机译:本文提供了用于形成一种或多种硅纳米结构,例如硅纳米管和含二氧化硅玻璃基板的方法。 由于用于制备硅纳米结构的方法,含二氧化硅玻璃基板包括一个或多个纳米粒子,并且一个或多个硅纳米结构从含硅玻璃基板的纳米纤维站延伸。 硅纳米结构包括纳米管和任选的纳米线。 另一方面是一种在含二氧化硅玻璃基板上制备硅纳米结构的方法。 该方法包括在含二氧化硅玻璃基板上提供一个或多个金属纳米颗粒,然后在适于形成一个或多个硅纳米结构的条件下进行二氧化硅玻璃基板的反应离子蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号US11225434B2

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CORNING INCORPORATED;ICFO;

    申请/专利号US202016891606

  • 申请日2020-06-03

  • 分类号C30B29/06;C03C15;C30B29/60;C30B29/18;C30B11/12;C01B33/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:23:31

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