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Pump and probe type second harmonic generation metrology

机译:泵和探头型二次谐波生成计量

摘要

Various approaches to can be used to interrogate a surface such as a surface of a layered semiconductor structure on a semiconductor wafer. Certain approaches employ Second Harmonic Generation and in some cases may utilize pump and probe radiation. Other approaches involve determining current flow from a sample illuminated with radiation.
机译:可以使用各种方法来询问诸如半导体晶片上的层状半导体结构的表面的表面。 某些方法采用二次谐波产生,并且在某些情况下可以利用泵和探针辐射。 其他方法涉及从用辐射照射的样品确定电流流动。

著录项

  • 公开/公告号US11150287B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FEMTOMETRIX INC.;

    申请/专利号US202016841324

  • 发明设计人 VIKTOR KOLDIAEV;MARC KRYGER;JOHN CHANGALA;

    申请日2020-04-06

  • 分类号G01R29/24;G01R31/308;G01R31/28;G01N21/63;G01N21/88;G01N21/95;G01N21/94;G01R31/265;G01R31/26;G01N27;H01L21/66;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 21:45:11

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