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Memory system for writing fractional data into nonvolatile memory

机译:用于将分数数据写入非易失性存储器的内存系统

摘要

According to one embodiment, a memory system includes a volatile memory, a nonvolatile memory and a controller circuit. The controller circuit configured to control the volatile memory and the nonvolatile memory and to perform a write process and a non-volatilization process. The controller circuit is further configured to, during the write process, store write data in the volatile memory, and during the non-volatilization process, upon determining that data size stored in the write buffer being less than unit of writing of the nonvolatile memory, suspend completion of the non-volatilization process and not return a notification of completion of the non-volatilization process.
机译:根据一个实施例,存储器系统包括易失性存储器,非易失性存储器和控制器电路。 控制器电路被配置为控制易失性存储器和非易失性存储器,并执行写入过程和非挥发过程。 控制器电路还被配置为在写入过程期间,在易失性存储器中存储写入数据,并且在非易失化过程期间确定存储在写入缓冲器中的数据大小小于非易失性存储器的写入单位时, 暂停完成非易失性进程,并未返回完成非挥发过程的通知。

著录项

  • 公开/公告号US11086568B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIBA MEMORY CORPORATION;

    申请/专利号US201916559147

  • 发明设计人 NAN JIN;RYOICHI KATO;

    申请日2019-09-03

  • 分类号G06F12;G06F3/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 20:29:05

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