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Memory system for improving memory reliability and memory management method for the same

机译:用于提高内存可靠性和内存管理方法的内存系统

摘要

A memory system and a method for operating the same, wherein the memory system includes a first memory and a second memory each configured to store data. The memory system further includes a test and repair circuit operationally connected to the first memory and to the second memory. The test and repair circuit is configured to receive a test initiation signal and perform, in response to receiving the test initiation signal, a test operation on at least one of the first memory and the second memory. The test and repair circuit is also configured to perform, based on a result of the test operation, a repair operation on the at least one of the first memory and the second memory.
机译:存储器系统和用于操作的方法,其中存储器系统包括第一存储器和第二存储器,每个第一存储器被配置为存储数据。存储器系统还包括测试和修复电路,其可操作地连接到第一存储器和第二存储器。测试和修复电路被配置为接收测试发起信号并且响应于接收到测试启动信号,在第一存储器和第二存储器中的至少一个上进行测试操作。测试和修复电路还被配置为基于测试操作的结果执行第一存储器和第二存储器中的至少一个的修复操作。

著录项

  • 公开/公告号US11037648B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201816051796

  • 发明设计人 TAE SIK YUN;CHUN SEOK JEONG;

    申请日2018-08-01

  • 分类号G06F11/27;G11C29/44;G11C29/42;G11C29/36;G06F11/263;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 19:19:23

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