首页> 外国专利> Solid-state imaging device having an impurity region on an upper surface of a photoelectric conversion film

Solid-state imaging device having an impurity region on an upper surface of a photoelectric conversion film

机译:具有在光电转换膜的上表面上的杂质区域的固态成像装置

摘要

A solid-state imaging device includes a substrate and a photoelectric conversion region. The substrate has a charge accumulation region. The photoelectric conversion region is provided on the substrate. The photoelectric conversion region is configured to generate signal charges to be accumulated in the charge accumulation region. The photoelectric conversion region comprises a material that is not transparent.
机译:固态成像装置包括基板和光电转换区域。基板具有电荷累积区域。光电转换区域设置在基板上。光电转换区域被配置为产生要累积在电荷累积区域中的信号电荷。光电转换区域包括不透明的材料。

著录项

  • 公开/公告号US11037969B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SONY CORPORATION;

    申请/专利号US201916675084

  • 发明设计人 ATSUSHI TODA;TERUO HIRAYAMA;

    申请日2019-11-05

  • 分类号H01L27/146;H01L31/0224;H01L31/032;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 21:39:57

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号