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机译:高温等离子体中低和零磁场的非嘴巴测量
公开/公告号US11011354B2
专利类型
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 TAE TECHNOLOGIES INC.;
申请/专利号US201816204434
发明设计人 DEEPAK K. GUPTA;RICHARD IGNACE;KENNETH H. NORDSIECK;
申请日2018-11-29
分类号H01J37/32;H05H1;H05H1/11;G01J3/02;G21B1/05;
国家 US
入库时间 2022-08-24 18:43:07
机译: 高温等离子体中的低和零磁场的非嘴巴测量
机译: 高温等离子体中低磁场和零磁场的非微扰测量