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Ething composition and ething method using the same

机译：使用相同的啮合组成和熔点方法

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摘要

The present invention provides an etching composition and a method of using the same, and more particularly, the etching composition of the present invention provides an etching composition for selectively etching a metal nitride film and a selective etching method for a metal nitride film using the same.

机译：本发明提供一种蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物，更具体地，本发明的蚀刻组合物提供了一种用于选择性地蚀刻金属氮化物膜的蚀刻组合物和使用该蚀刻金属氮化物膜的选择性蚀刻方法。

著录项

公开/公告号KR102243569B1

专利类型
公开/公告日2021-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人
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申请/专利号KR1020190039980
发明设计人 허준;임나래;이명호;송명근;
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申请日2019-04-05
分类号C09K13/08;C09K13/06;H01L21/306;H01L21/3213;
国家 KR
入库时间 2022-08-24 18:27:27

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