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SELF SELECT MEMORY CELL BASED ARTIFICIAL SYNAPSE

机译:自我选择基于内存单元的人工突触

摘要

Apparatuses and methods for implementing artificial synapses utilizing SSM cells. A leaky-integrate-and-fire circuit can provide a feedback signal to an SSM cell responsive to a threshold quantity of pulses being applied to the gate from the signal line. A resulting state of the SSM cell can be dependent on a time difference between a latest of the threshold quantity of pulses and an initial pulse of the feedback signal.
机译:利用SSM单元实现人工突触的装置和方法。泄漏集成的和火电路可以响应于从信号线施加到栅极的阈值量的脉冲的阈值量,向SSM电池提供反馈信号。由此产生的SSM小区的状态可以取决于最新的脉冲脉冲量和反馈信号的初始脉冲之间的时间差。

著录项

  • 公开/公告号WO2021040891A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号WO2020US41117

  • 发明设计人 FANTINI PAOLO;

    申请日2020-07-08

  • 分类号G11C11/54;G11C13;G06N3/063;G06N3/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 21:21:21

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