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机译:一种制造半导体器件的方法,该半导体器件具有至少一个没有电极的阻挡或锁定
公开/公告号DE1116825B
专利类型
公开/公告日1961-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1959S066192
发明设计人 WINSTEL DIPL-PHYS GUENTHER;DIPL-PHYS DR RER NAT GUENTHER;
申请日1959-12-10
分类号H01L21/00;H01L21/24;H01L29/06;H01L29/73;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 18:32:18
机译: 一种具有两个阻挡自由基极电极和至少一个阻挡发射极电极的半导体器件
机译: 具有无阻挡接触的半导体部件-电极及其制造方法