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机译:具有浅杂质浓度梯度的p-n结的半导体控制整流器
公开/公告号US3249831A
专利类型
公开/公告日1966-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION;
申请/专利号US19630249530
发明设计人 AMBROSE BERNARD J.;NEW THORNDIKE C.;
申请日1963-01-04
分类号H01L21/00;H01L29/00;H01L29/167;H01L29/207;H01L29/36;
国家 US
入库时间 2022-08-23 14:35:33
机译: 用于变频器模块的绝缘栅双极型晶体管功率半导体组件,其杂质浓度较高的掺杂剂区域远离沟槽结构的基部并位于p-n结的空间电荷区域中
机译: P-N结附近的杂质浓度控制方法
机译: 蛋白质半导体的制造方法,蛋白质半导体,P-N结的制造方法,P-N结,半导体装置的制造方法,电子装置,电子设备,以及导电性的控制方法