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机译：铝和浸湿的，作用于锗晶体中的hilfsmetall现有电极的制备方法
公开/公告号CH427037A
专利类型
公开/公告日1966-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT;
申请/专利号CH19600012462
发明设计人 THUERMELEBERHARDDIPL.-PHYS.;DR. RUECKERDIETERDIPL.-PHYS.;
申请日1960-11-08
分类号H01L7/46;
国家 CH
入库时间 2022-08-23 14:17:44
机译： 通过将电极合金化成半导体主体锗来制造半导体组件的方法
机译： 铝和borholdigt电极材料的生产程序，其中的含铝化合物可用于半发光二极管（如锗或硅锗合金）上的电极。
机译： 回收沉淀液的氢氧化铝晶体的方法，获得氢氧化铝晶体的方法，乳化的晶体生长改性剂，拜耳法用于生产氢氧化铝晶体的方法。
