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The method for manufacturing monocrystalline half conductor bodies by thermal decomposition of gaseous compounds

机译:通过气态化合物热分解制备单晶半导体的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1247278B

    专利类型

  • 公开/公告日1967-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE1962M054181

  • 发明设计人 SCHAARSCHMIDT EDWARD CHRISTOPH;

    申请日1962-09-08

  • 分类号C30B25/02;H01L21/205;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 14:07:52

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