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机译:硅或锗的大环衍生物,其制备方法及其应用。
公开/公告号FR1513324A
专利类型
公开/公告日1968-02-16
原文格式PDF
申请/专利权人 CENTRE NAT RECH SCIENT;CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE;
申请/专利号FR19660079531
发明设计人 MAZEROLLES PIERRE;MAZEROLLES PIERRE;
申请日1966-10-11
分类号C07F7/08;C07F7/30;C11B9;
国家 FR
入库时间 2022-08-23 13:10:47
机译: 制备外延锗硅锗外延硅层和集成半导体器件的方法。
机译: 高锗浓度形成硅锗应力的方法,该方法能够通过实施热扩散过程而由第二硅锗层形成硅锗应力
机译: 在锗或硅锗合金表面上至少存在的基质上通过高温氧化制备二氧化硅层的方法