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机译:高临界场超导电路的制造方法
公开/公告号US3352007A
专利类型
公开/公告日1967-11-14
原文格式PDF
申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;
申请/专利号US19630308892
发明设计人 CHARLES RICHARD J.;
申请日1963-09-13
分类号H01F6/06;H01L39/24;
国家 US
入库时间 2022-08-23 12:59:07
机译: 高临界场超导体及其制造方法