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method for treating the surface of halbleiterelementen

机译：钠钙蒙脱石表面处理方法

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摘要

The surface of Si semi-conductors (a) etched with an HNO3/HF mixt. (b) rinsed with HNO3, (c) rinsed with methanol, (d) dried and (e) coated with a protective layer.

机译：用HNO3 / HF混合液蚀刻的Si半导体（a）的表面。（b）用HNO3冲洗，（c）用甲醇冲洗，（d）干燥，并（e）涂上保护层。

著录项

公开/公告号DE000001905657A

专利类型
公开/公告日1970-08-20

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1905657A
发明设计人 WEISKE DIPL-PHYS DR WOLFGANG;
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申请日1969-02-05
分类号H01L21/306;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 10:55:12

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