首页> 外国专利> Semiconductor wafers - cut perpendicular to the 115 directions

Semiconductor wafers - cut perpendicular to the 115 directions

机译:半导体晶圆-垂直于115方向切割

摘要

Method of preparing circular semiconducting wafers and wafers so produced wherein a rod of Si or Ge is grown into a single crystal rod by zone melting with the crystal axis in a 115 direction. The directions are sufficiently near to perpendicular to the corresponding left brace 100 right brace planes that resistivity of a wafer cut perpendicular to the bar is more or less uniform in the radial direction i.e. the wafers are cut almost in the left brace 100 right brace planes. The 15 directions are 74.7 degrees from the left brace 100 right brace planes.
机译:制备圆形半导体晶片的方法以及由此制得的晶片,其中通过沿115方向结晶轴进行区域熔化将Si或Ge棒生长为单晶棒。这些方向足够接近垂直于相应的左支架100的右支架平面,以使得垂直于棒切割的晶片的电阻率在径向方向上或多或少均匀,即,晶片几乎在左支架100的右支架平面中被切割。 15>方向与左支撑100和右支撑平面成74.7度。

著录项

  • 公开/公告号FR2148166A1

    专利类型

  • 公开/公告日1973-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DOW CORNING CORPORATION;

    申请/专利号FR19720027724

  • 发明设计人

    申请日1972-08-01

  • 分类号B01J17/00;H01L11/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-23 06:43:16

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号