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PROCESS FOR PREPARING GAAS1-XPX CRYSTAL

机译:GAAS1-XPX晶体的制备过程

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号CA957599A

    专利类型

  • 公开/公告日1974-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD;

    申请/专利号CA19720141323

  • 发明设计人 ASAO ICHIRO;

    申请日0000-00-00

  • 分类号H05B33/14;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-23 04:20:51

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