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机译:潮京四郎少年五郎馆和少保
公开/公告号JPS5191775A
专利类型
公开/公告日1976-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP19750017122
发明设计人
申请日1975-02-10
分类号G01K1/08;G01K1/10;
国家 JP
入库时间 2022-08-23 03:07:52
机译: SiO2薄膜沉积方法相同的SiO2薄膜沉积方法。
机译: 细晶粒特征的SiO2填充方法和在催化表面上选择性SiO2沉积的方法