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Voltage transformation using saturating oscillator - has field effect transistor controlled from transformer secondary winding

机译:使用饱和振荡器进行电压转换-通过变压器次级绕组控制场效应晶体管

摘要

The efficiency and accuracy of transformers is improved by using a saturating oscillator and a FET in place of one of the two transistors normally employed. The gate of the FET (Q2) is connected through a regulating circuit (CR1, CR2, C1, R2) to the secondary winding (W3) of a transformer (T1). The bifilar wound primary (W1, W2) windings are connected thus: one to the supply terminal and one to the source-drain circuit which, in turn, controls the base of a switching transistor (Q1). A limiting resistor (R1) is included. With a voltage on the FET gate the transistor (Q1) turns off; thus reducing the secondary transformer voltage. This reduces the source-drain circuit resistance and thereby tends to turn the transistor (Q1) on and repeat the cycle.
机译:通过使用饱和振荡器和FET代替通常使用的两个晶体管之一,可以提高变压器的效率和精度。 FET(Q2)的栅极通过调节电路(CR1,CR2,C1,R2)连接到变压器(T1)的次级绕组(W3)。双股绕制的初级绕组(W1,W2)因此连接:一个连接到电源端子,另一个连接到源极-漏极电路,后者依次控制开关晶体管(Q1)的基极。包括一个限制电阻(R1)。 FET栅极上有电压时,晶体管(Q1)截止;因此降低了次级变压器的电压。这减小了源极-漏极电路的电阻,从而倾向于导通晶体管(Q1)并重复该循环。

著录项

  • 公开/公告号DE2457486A1

    专利类型

  • 公开/公告日1976-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH;

    申请/专利号DE19742457486

  • 发明设计人 STAHLKEJUERGEN;

    申请日1974-12-05

  • 分类号H02P13/22;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 02:03:30

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