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SILICON CARBIDE CERAMICE

机译:碳化硅陶瓷

摘要

1438709 Silicon carbide ceramics GENERAL ELECTRIC CO 18 Dec 1973 [21 Dec 1972] 58585/73 Heading C7D [Also in Division C1] A dense fine-grained SiC ceramic comprises # SiC and an additive consisting of B or B4C (the additive equivalent to 0À5-3À0 parts by wt. B to 100 parts SiC) having a density of at least 98% of the theoretical density. The ceramic is formed by hot pressing a homogeneous dispersion of submicron powders of SiC and B or B 4 C in an inert atmosphere at 1900‹-2000‹C and 5,000-10,000 psi. The inert gas is Ar, He, or N2
机译:1438709碳化硅陶瓷通用电气1973年12月18日[1972年12月21日] 58585/73标题C7D [也在C1分部中]一种致密的细晶SiC陶瓷,包含#SiC和由B或B4C组成的添加剂(相当于0‑5的添加剂)相对于100份SiC),B为-3‑0重量份,密度至少为理论密度的98%。陶瓷是通过在惰性气氛中在1900 ‹-2000 ‹C和5,000-10,000 psi下对SiC和B或B 4 C的亚微米粉末的均匀分散体进行热压而形成的。惰性气体是Ar,He或N2

著录项

  • 公开/公告号GB1438709A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC CO;

    申请/专利号GB19730058585

  • 发明设计人

    申请日1973-12-18

  • 分类号B22F1/00;C01B31/36;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-23 01:42:12

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