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机译:在该方法的应用下,制造了用于制备半geleideriderriching的基础的方法和基础。
公开/公告号NL7613314A
专利类型
公开/公告日1977-06-14
原文格式PDF
申请/专利权人 YOSHIO SATO TE TOKIO.;
申请/专利号NL19760013314
发明设计人
申请日1976-11-30
分类号H01L21/02;H01L23/14;
国家 NL
入库时间 2022-08-23 00:48:04
机译: 于制造半凝胶强化剂的基础的方法,应用该方法的装置以及在该方法的应用下制造的半凝胶强化剂的基础。
机译: 通过在半geleideriderlichaam中施加扩散区来制造半geleideriderinriching的方法,并根据该方法制造半geleideriderinrichting。
机译: 本发明的方法用于将半导电胶充分地施加到具有至少pa过渡的半导电胶上的接触层,该电绝缘材料的表面层和通过该方法产生的半导电胶被加成。