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机译:通过构造场效应晶体管,在多相时钟模式下,电容负载下工作
公开/公告号DE1787011B2
专利类型
公开/公告日1977-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号DE19661787011
发明设计人
申请日1966-10-05
分类号H03K19/08;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 00:12:03
机译: 通过构造场效应晶体管,在多相时钟模式下,电容负载下工作
机译: 借助构造的场效应晶体管,在多相时钟模式下,电容性负载和降低的功率转换均可正常运行
机译: 内置feldeffekttransistoren内置的mehrphasentakt操作,binaer在容性负载下工作,减少了Leistungsumsatz的损坏