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Uniform thermal migration utilizing noncentro-symmetric and secondary sample rotation

机译:利用非中心对称和二次样品旋转实现均匀的热迁移

摘要

The geometric configuration of a molten zone migrating through a solid body of semiconductor material during thermal gradient zone melting is maintained by simultaneous noncentro-symmetric and secondary rotation of the solid body.
机译:在热梯度区熔化期间通过半导体材料的固体迁移的熔融区的几何构型通过固体的同时非中心对称旋转和二次旋转得以保持。

著录项

  • 公开/公告号US4012236A

    专利类型

  • 公开/公告日1977-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL ELECTRIC COMPANY;

    申请/专利号US19750645675

  • 发明设计人 THOMAS R. ANTHONY;HARVEY E. CLINE;

    申请日1975-12-31

  • 分类号H01L21/228;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 23:34:59

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