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机译:在坩埚松散浮动区方法中提高冲击强度的方法
公开/公告号DE2554647B2
专利类型
公开/公告日1978-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号DE19752554647
发明设计人
申请日1975-12-04
分类号B01J17/10;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 22:03:18
机译: 在坩埚松散浮动区方法中提高冲击强度的方法
机译: 通过坩埚松散浮区法生产单晶硅
机译: 在坩埚松动浮动区方法中,用于改变杆的横截面的装置是椭圆形的