改变非晶态磁性薄层的易磁化方向的方法& &所述层在无氧气氛中进行退火,并且由选自氩,氖,k和氙的气体组成,该气体的温度低于构成该层的合金的结晶温度。 p> & &应用到泡沫记忆中。 p>
公开/公告号JPS5429098A
专利类型
公开/公告日1979-03-03
原文格式PDF
申请/专利号JP19780094187
发明设计人 ROBEERU MUIEERU;GABOORU SUURAN;HIYUUBEERU JIYOOBU;YAKUESU SUTSUTORUN;MITSUSHIERU TETSUSHIEERU;RAMANASAN KURISHIYUNAN;
申请日1978-08-03
分类号C21D6/00;G11B5/845;H01F10/12;H01F10/13;H01F41/14;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 21:00:18