首页> 外国专利> A bipolar memory (i2l) logic of integrated injection (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

A bipolar memory (i2l) logic of integrated injection (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

机译:集成进样的双极内存(i21)逻辑(由Google Translate进行机器翻译,不具有法律约束力)

摘要

A bipolar memory cell i (sup, 2) l) integrated injection logic, controlled by read/write-read/read lines of a type that can be used in an organized-word arrangement, comprising; - a substrate that has a first type of semi-conductivity. - a first layer of semiconductor material of a second type of semi-conductivity disposed on said substrate. - a second layer that has the second type of conductivity. - first and second regions of semiconductive material having the first type of conductivity. - third and fourth regions of semiconductive material. - fifth and sixth regions of semiconductive material. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
机译:由读/写-读/读线控制的双极存储单元i(sup,2)1)集成注入逻辑,该类型的读/写-读/读线可用于有组织的字排列。 -具有第一类型的半导电性的衬底。 -设置在所述衬底上的第二类型的半导电半导体材料的第一层。 -具有第二类型导电性的第二层。 -具有第一类型导电性的半导体材料的第一和第二区域。 -半导体材料的第三和第四区域。 -半导体材料的第五和第六区域。 (通过Google翻译进行机器翻译,没有法律约束力)

著录项

  • 公开/公告号ES469393A1

    专利类型

  • 公开/公告日1979-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STANDARD ELECTRICAS.A.;

    申请/专利号ES19780469393

  • 发明设计人

    申请日1978-05-03

  • 分类号G11C;

  • 国家 ES

  • 入库时间 2022-08-22 20:16:48

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号