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机译：法在treibduesen中形成fadefpfropfens的方法-stauchkammern
公开/公告号DD140365A1
专利类型
公开/公告日1980-02-27
原文格式PDF
申请/专利权人 MEWES ERICH;KUNSTMANN PETER;
申请/专利号DD19780209576
发明设计人 KUNSTMANN PETER;MEWES ERICH;
申请日1978-12-07
分类号D02G1/12;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 18:36:17
机译： 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法，形成场效应晶体管的方法，在绝缘体衬底上形成半导体的方法，形成包含二氧化硅的跨度的方法，冷却半导体器件的方法，形成电磁辐射的方法发射器和导管，成像系统的形成方法，纳米流体通道的形成方法，荧光法和集成电路
机译： 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法，形成场效应晶体管的方法，在绝缘体衬底上形成半导体的方法，形成包含二氧化硅的跨度的方法，冷却半导体器件的方法，形成电磁辐射的方法发射器和导管，成像器系统的形成方法，纳米流体通道的形成方法，荧光法和集成电路
