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halvledardon of tryckkontakttyp

机译:半导体器件或压力接触式

摘要

A compression type semiconductor device includes a semiconductor element; at least one metal plate having substantially upright edge surfaces, a planar contacting surface engaging a first surface of the semiconductor element and a continuous curved surface interconnecting the edge surfaces and the contacting surface; and a means for pressing the contacting surface of the metal plate against the first surface of the semiconductor element. The continuous curved surface of the metal plate is so formed that at each point on the periphery of the contacting surface at least one plane normal to the contacting surface intersects the curved surface in an arcuate curve which tangentially joins the contacting surface.
机译:压缩型半导体装置具有半导体元件。至少一个金属板,其具有基本上直立的边缘表面,与半导体元件的第一表面接合的平面接触表面以及将边缘表面和接触表面互连的连续弯曲表面;用于将金属板的接触表面压靠在半导体元件的第一表面上的装置。金属板的连续弯曲表面形成为使得在接触表面的外围上的每个点上,至少一个垂直于接触表面的平面以弧形曲线与弯曲表面相交,该弧形曲线切向地接合接触表面。

著录项

  • 公开/公告号SE8001915L

    专利类型

  • 公开/公告日1980-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO;

    申请/专利号SE19800001915

  • 发明设计人 TAKIGAMI K;AZUMA M;

    申请日1980-03-12

  • 分类号H01L23/48;

  • 国家 SE

  • 入库时间 2022-08-22 18:18:21

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