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机译:优质介电常数和损耗角的测量方法
公开/公告号SU708261A2
专利类型
公开/公告日1980-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 DN G UNIV IM. 300-LETIYA VOSSOEDINENIYA UKRAINY S ROSSIEJ;
申请/专利号SU19782621899
发明设计人 SAFONOV VALERIJ VSU;PRUDKIJ VASILIJ PSU;
申请日1978-05-25
分类号G01R27/26;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 17:53:50
机译: 优质介电常数和损耗角的测量方法
机译: 这种用于松散地电测量导电层和非导电层的厚度,横截面,直径,表面质量,电容器或电容和电感器的损耗角以及虚构导体厚度的方法。磁导率或介电常数
机译: 用于测量介电常数的设备和用于测量介电损耗的设备