首页> 外国专利> Annealing synthetic diamond type Ib

Annealing synthetic diamond type Ib

机译:退火合成金刚石Ib型

摘要

Type Ib synthetic diamond crystal is annealed at an annealing temperature ranging from about 1500° C. to about 2200° C. under a pressure which prevents significant graphitization of the diamond during the annealing to convert at least about 20% of the total amount of type Ib nitrogen present in the crystal to type Ia nitrogen.
机译:将Ib型合成金刚石晶体在约1500℃至约2200℃的退火温度下在防止金刚石在退火期间显着石墨化的压力下进行退火,以转化至少约20%的类型总量晶体中存在的Ib氮变成Ia型氮。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号