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机译:制备SiO 2光纤沉积预制件的方法和/或射频诱导的化学反应
公开/公告号AR222334A1
专利类型
公开/公告日1981-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 INT STANDARD ELECTRIC CORP;
申请/专利号AR19790276551
发明设计人
申请日1979-05-16
分类号G02B5/16;
国家 AR
入库时间 2022-08-22 16:22:11
机译: 通过脱水和脱纤光纤预制棒的制造方法,使用一种经过改进的化学气相沉积方法(包括氯工艺)来制备,这样,光纤
机译: 使用包括脱水和脱氯过程的改进的化学气相沉积来制造光纤预制件的方法以及通过该方法制造的光纤
机译: 包括脱水和脱氯过程的改性化学气相沉积制造光纤预制棒的方法以及由该方法制造的光纤