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Method of preparing di and poly chalcogenides of group IVb, Vb, molybdenum and tungsten transition metals by low temperature precipitation from non-aqueous solution and the product obtained by said method

机译:通过从非水溶液中进行低温沉淀制备IVb,Vb,钼和钨过渡金属的二硫和多硫属元素化物的方法以及通过该方法获得的产物

摘要

Finely divided, high surface area, small crystallite (0.1 micron or less) di- and poly-transition metal chalcogenides are prepared by mixing in the absence of an aqueous solvent a transition metal salt with a source of chalcogen yielding a precipitate. The salt and the chalcogen source can be mixed either neat or in the presence of a nonaqueous solvent. The precipitate which results before removal of the anion salt is a finely divided product.
机译:通过在不存在水性溶剂的情况下将过渡金属盐与硫属元素来源混合,制得细分的,高表面​​积,小晶粒(0.1微米或更小)的二过渡和多过渡金属硫属元素化物,以产生沉淀。可以将盐和硫属元素源纯净地混合或在非水溶剂存在下混合。在除去阴离子盐之前产生的沉淀物是细分的产物。

著录项

  • 公开/公告号US4323480A

    专利类型

  • 公开/公告日1982-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EXXON RESEARCH & ENGINEERING CO.;

    申请/专利号US19800151450

  • 发明设计人 RUSSELL R. CHIANELLI;MARTIN B. DINES;

    申请日1980-05-19

  • 分类号B01J27/02;H01B1/06;C01B17/00;C01B19/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 12:13:18

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