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机译:调节具有单向导光输出的半导体激光器的辐射有功功率的方法和装置
公开/公告号BG34595A1
专利类型
公开/公告日1983-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 RABOVSTOJAN S.;
申请/专利号BG19820057439
发明设计人 RABOVSTOJAN S.;
申请日1982-07-19
分类号H01S3/18;
国家 BG
入库时间 2022-08-22 11:18:15
机译: 单向输出调节激光二极管有功功率的方法和装置
机译: 一种高功率半导体激光阵列装置,其输出在波长和相位上匹配的激光,其制造方法以及使用这种高功率半导体激光阵列装置的多波长激光发射装置
机译: 输出波长和相位匹配的激光的高功率半导体激光器阵列设备,其制造方法以及使用这种高功率半导体激光器阵列设备的多波长激光发射设备