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HOLOGRAPHIC METHOD OF INVESTIGATING AND CHECKING PHOTOELECTRET PROPERTIES OF POLYMER SEMICONDUCTOR-BASED PHOTOTHERMOPLASTIC MATERIALS

机译：高分子半导体光热塑材料的光电子学研究与检测的全息方法

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摘要

голографичесжий way to study and control фотоэлектретных properties фототермопластических materials based on полимернь x of semiconductors.зар дку surface film of a polymer consisting of зар дами posi

机译：研究和控制基于半导体聚合物x的光热塑材料的光电驻极体性能的全息方法。包含正电荷的聚合物的电荷表面膜

著录项

公开/公告号SU1089549A1

专利类型
公开/公告日1984-04-30

原文格式PDF
申请/专利权人 KI G UNIV IM.T.G.SHEVCHENKO;
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申请/专利号SU19823502796
发明设计人 BARABASH YURIJ MSU;BAZHENOV MIKHAIL YUSU;SOKOLOV NIKOLAJ ISU;NAKHODKIN NIKOLAJ GSU;CHUPRIN NIKOLAJ GSU;GRINKO DMITRIJ ASU;KUVSHINSKIJ NIKOLAJ GSU;TEOLOGOV VALERIJ VSU;ZABOLOTNYJ MIKHAIL ASU;
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申请日1982-10-18
分类号G03H1/18;
国家 SU
入库时间 2022-08-22 08:53:29

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